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Dans un transistor à effet de champ (MOSFET) à enrichissement avec canal P, le déplacement des trous est associé à :
l'enrichissement du canal P
Dans un MOSFET à enrichissement canal P, il n'y a pas de canal initial. Une tension de grille négative attire les trous vers la région sous la grille, créant (enrichissant) un canal P pour la conduction.
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